华夏芯谷14nm研发中心的灯光，与euv实验室的孤勇之光不同，这里的光芒密集而灼热。

数百台伺服器组成的计算集群昼夜不休，散热风扇的轰鸣交织成一首沉闷的战歌，屏幕上滚动的晶片设计图、仿真曲线和良率分析报告，构成了这场“螺螄壳里做道场”攻坚战的核心战场。

梁志远的眼睛布满血丝，下巴上冒出了青色的胡茬。

他將一件厚厚的衝锋衣搭在椅背上，手里攥著一份刚列印出来的dtco仿真报告，指节因用力而微微发白。

“章宸博士，你看这里。”

他对著视频通话界面挥手，將报告凑近摄像头，

“按照我们『设计换良率』的思路，把高性能cpu核心和部分缓存拆分，通过chiplet集成，仿真良率从18%提升到了35%，但电晶体漏电率超標了12%，而且芯粒间的互联延迟比预期高了5纳秒。这性能损失……太大了。”

视频那头的章宸同样面色憔悴，他身后的白板上写满了关於finfet鰭片宽度与柵氧厚度的复杂公式。

“漏电率问题出在duv多重图形的掺杂工艺上，”

章宸的手指在触控板上滑动，调出一份三维电晶体结构图，

“三重图形导致的离子注入深度不均匀，我们之前的仿真模型低估了这种边缘效应。我建议，將鰭式场效应电晶体（finfet）的柵极长度从14nm微调至14.5nm，牺牲一点极致性能，换取漏电率的显著下降。你让团队按这个新结构重新跑仿真。”

“牺牲性能？”

旁边一位年轻工程师忍不住插话，他叫陈默，是“星火计划”的优秀学员，脸上带著对极致性能的执著，

“章博士，这样一来，我们的cpu单核频率会不会比水果的w3晶片差太多？市场能接受吗？”

章宸看著屏幕里的年轻人，眼神温和却坚定：

“陈默，我们现在的首要目標是『能造出来、能量產』。14nm工艺对我们而言，是从0到1的生死线，不是和巨头在极限性能上赛跑的舞台。先解决有无，再谈优劣。等良率稳定了，我们可以通过架构优化、甚至下一代工艺把性能追回来，但良率上不去，一切都是空谈。”

梁志远拍了拍陈默的肩膀：

“章博士说得对。用duv走多重图形，本身就是逆流而上，我们必须学会妥协，在性能、功耗、良率这个『不可能三角』里，找到属於我们自己的最佳平衡点。”

陈默深吸一口气，点了点头，立刻转身投入到仿真参数的调整中。实验室里再次只剩下键盘敲击声和伺服器风扇的嗡鸣。

几个小时后，新的仿真结果出来了：漏电率下降至標准范围內，互联延迟通过优化c-cis传输协议，压缩到了3.2纳秒，良率仿真数据定格在42%。

“有进展！”

团队里响起一阵压抑的欢呼。梁志远却不敢放鬆：

“42%还不够，距离量產所需的60%良率还有巨大差距。我们必须找到影响良率的关键瓶颈。”

他打开良率分析系统，调出电晶体失效分布图，屏幕上红色的失效热点，如同刺眼的警告，主要集中在cpu核心的柵极区域和芯粒互联的微焊盘处。

“柵极区域的失效，根子在光刻胶。”

一位工艺工程师分析道，

“我们现在用的国產光刻胶，在14nm节点的线宽均匀性和边缘粗糙度上，经过三次曝光后，还是差了口气。”

“互联焊盘的问题，在於duv多重图形导致的层间对准误差累积。”

另一位封装专家补充，

“每次曝光都有纳米级的偏差，叠加上去，焊盘的共面性就超標了，直接影响信號完整性和连接可靠性。”

两个核心问题，如同两只拦路虎，让实验室的气氛再次凝重。

梁志远立刻拨通了林薇的电话，语速急促：

“林总，我们被卡住了：一是14nm级光刻胶的线宽均匀性，二是多重图形的层间对准误差。需要供应链和工艺团队的紧急支援！”

林薇那边的背景音同样嘈杂：

“光刻胶，『火炬』攻坚组联合沪市化学所研发的新一代產品刚完成中试，样品明天空运到芯谷。对准误差，华科院自动化所开发的基於『小芯』ai算法的视觉对准系统已通过验证，我让他们技术团队下午就带原型机过来对接！”

支援来得如此之快，让团队精神一振。

下午，ai视觉对准系统抵达。调试、连接、模擬曝光……当第一组检测数据跳出时，负责封装的工程师兴奋地挥拳：

“层间对准误差从4.2纳米降至1.8纳米！互联焊盘的失效热点预计能减少一半以上！”

第二天，新一代光刻胶送抵。工艺团队立刻启动验证流程。

显微镜下，经过三次曝光、显影、刻蚀后的柵极图形边缘清晰、整齐，那令人头痛的锯齿状缺陷消失了！

“所有障碍已扫清，启动第一次工程流片！”

梁志远下达指令，整个研发中心的气氛瞬间绷紧至极限。

晶圆在產线上流转，光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械拋光……每一道工序都牵动著所有人的心。

三天后，首批20片工程样片完成，被送入测试实验室。

探针台下，数据开始跳动。